西安廢鐵回收公司表示用于集成電路的高純度半導(dǎo)體硅和太陽能板的硅的產(chǎn)量逐年增加。在晶圓生產(chǎn)過程中，大約60%的硅，切邊后的硅錠，隨著切割和拋光的廢水處理而報(bào)廢?；厥盏礁呒兌裙璧某杀痉浅８?。如果可以將硅泥轉(zhuǎn)化為氮化物基結(jié)構(gòu)陶瓷，將有助于解決半導(dǎo)體和光伏行業(yè)的生態(tài)問題。

生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的不良硅晶圓和太陽能硅片都可以回收。通常，硅晶片具有形成在單個(gè)有效區(qū)域中的多個(gè)電子電路，針對每個(gè)電子電路切割，并作為半導(dǎo)體器件例如IC或LSI安裝在家用電器或機(jī)器控制機(jī)構(gòu)上。在IC或LSI等所希望的半導(dǎo)體裝置的制造工序中，會產(chǎn)生使用過的測試晶片或不良晶片等不能使用的廢硅片。

硅片回收方法是將半導(dǎo)體器件制造過程中產(chǎn)生和丟棄的非標(biāo)準(zhǔn)硅片通過分選工藝分揀出來，并在化學(xué)加工工藝和物理加工工藝中對其表面進(jìn)行修整。表面被刮掉了。然后，通過化學(xué)活化工藝將硅片表面活化，然后通過微波干燥工藝干燥，從而將非標(biāo)準(zhǔn)硅片重新用作太陽能電池的硅基板。

硅晶片包括表現(xiàn)出特性缺陷的太陽能電池單元、在硅晶片的表面層上形成的雜質(zhì)層、以及在雜質(zhì)層上形成的表面銀電極膜和在包括抗反射膜、背面銀電極膜和形成在硅片背面的鋁電極層的太陽能電池中，通過氫氟酸處理去除抗反射膜和前后銀電極膜的步驟；通過鹽酸處理去除鋁電極層的步驟依次或相反順序進(jìn)行后，進(jìn)行通過硝酸和氫氟酸的混合溶液處理或氫氧化鈉處理去除雜質(zhì)層的步驟。然后，將表面去除了雜質(zhì)層的硅晶片再次形成上述太陽能電池后再次使用，或者溶解再生為多晶錠，再次作為太陽能電池用硅基板再次使用。

西安廢鐵回收公司表示在廢硅片回收方法中，通過機(jī)械或化學(xué)處理從按照預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)分類的廢晶片上在脫膜過程中去除廢晶片的膜。在廢晶片回收方法中，廢晶片的正反面通過鏡面拋光工藝形成鏡面，并通過對準(zhǔn)工藝針對每個(gè)晶向?qū)?zhǔn)并對準(zhǔn)成圓柱形。接著，在廢晶片回收方法中，通過將對齊的廢晶片放入加熱爐中并在400°C至1350°C的范圍內(nèi)加熱它們，從而使堆疊的廢晶片的接觸面彼此擴(kuò)散結(jié)合。一個(gè)加熱過程。因此，形成再生錠以獲得接近單晶狀態(tài)的類似單晶錠。

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